氮化硼制品的制造方法是,热处理湍层的BN粉末以降低其氧含量至5—8%(介石墨的BN),洗涤经热处理的粉末,将其与5—8%非晶形的硼混合,将此混合物成型,用流体动力方法爆炸压实该成型体,以及反应烧结...
氮化硼制品的制造方法是,热处理湍层的BN粉末以降低其氧含量至5—8%(介石墨的BN),洗涤经热处理的粉末,将其与5—8%非晶形的硼混合,将此混合物成型,用流体动力方法爆炸压实该成型体,以及反应烧结已压实的成型体,以制出所述的制品。之后将此制品埋入BN与SiC的粉末混合物中和进行热处理,以吸收残余的B2O3。此后,将此制品浸渍低粘度的甲基硅烷类的低聚物(MW<1000),所选用的低聚物在热解时可以产生高比例的SiC,并将该制品进行热处理,以使其孔隙中通过整个厚度均匀地充满SiC。
氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N2的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1.2Pa的条件下进行的.在超高真空系统中测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与基板偏压和膜厚关系很大。
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