石墨烯,六方氮化硼异质结构

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氮化硼生产厂家的小编今天给大家介绍下关于六方氮化硼，石墨烯-六方氮化硼异质结构的相关介绍，六方氮化硼具有出色的传热，绝缘和机械性能。它被广泛用作填料，以改善聚合物材料的传热，机械性能...

石墨烯,六方氮化硼异质结构

氮化硼生产厂家的小编今天给大家介绍下关于六方氮化硼，石墨烯-六方氮化硼异质结构的相关介绍，六方氮化硼具有出色的传热，绝缘和机械性能。它被广泛用作填料，以改善聚合物材料的传热，机械性能和介电性能。凭借其出色的耐热性和生物相容性，它还可以用作纳米颗粒或药物的质粒载体，用于催化反应，测试和生物技术等各个领域。然而，氮化硼的光滑物理性质使其难以改性其表面，这导致其分散性和复合性质的改善。传统复合材料中的氮化硼片材是无规排列的，不能灵活地利用平面内的高传热，而提高了阴影传热性能。

六方氮化硼，石墨烯-六方氮化硼异质结构

石墨烯（Graphene）和六方氮化硼（H-BN）具有相似的结构，但电特性不同。
石墨烯/六方氮化硼平面异质结由于其在基础研究和器件探索中的重要潜力而备受关注。石墨烯/H-BN平面异质结的制备通常是通过依次沉积石墨烯和H-BN或相反顺序来实现的。由于后续薄膜成核控制的困难以及在生长过程中容易破坏反应气体，目前的文献报道石墨烯/H-BN平面异质结的质量不能令人满意。
根据国家重点实验室的研究表明，在高质量的H-BN和石墨烯薄膜在Cu-Ni合金衬底上生长的研究基础上，成功制备了高质量的石墨烯/H-BN首先沉积H-BN单晶，然后生长石墨烯，形成平面异质结构。由于石墨烯在Cu-Ni合金上的生长速度非常快，石墨烯的短沉积时间减少了石墨烯膜生长过程中对H-BN膜的损害。同时，由于Cu-Ni合金的优异催化能力，提高了BN单晶的晶体质量，同时消除了石墨烯的无规成核，使得石墨烯域仅在三角形H的上角成核。H-BN单晶域并沿H-BN边缘生长。为了验证石墨烯/H-BN平面异质结的质量和电学性能，制备了Wse2/MoS2二维光电探测器，为基于异质结材料平台的二维逻辑集成电路的基础研究和应用探索提供了基础。
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