单晶氮化硼

正中科院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室唐述杰等研究人员,通过引入气态催化剂的方法,在国际上首次实现石墨烯单晶在六角氮化硼表面的高取向快速生长。在以往对石墨烯单晶、成核控制和衬底取向关系的掌握的基础上，研究小组以乙炔为碳源，创新地引入硅烷作为催化剂，通过化学气相外延法制备了晶体畴尺寸超过20微米的石墨烯单晶。与以往的文献报道相比，增长率增加了两个数量级。超过90%的石墨烯单晶严格取向于氮化硼衬底，呈现出由莫瑞条纹引起的二维晶体结构。制备的石墨烯的霍尔迁移率为每秒20，000平方厘米以上。

氮化硼在空气中抗氧化温度高达900℃，惰性环境下在1800-2000℃开始分解，膨胀系数为10-6，仅次于石英。2000℃下电阻为104Ω/cm，陶瓷中最好的高温绝缘材料，介电常数为4，能透微波，常用作雷达天线的外保护层。Bn 与大多数氧化剂和无机酸 / 碱不发生化学反应，属惰性化合物，具有良好的耐腐蚀性。 氮化硼纳米材料作为一种先进的纳米材料和陶瓷材料，以其优异的物理化学性能受到各个领域的青睐，并将在光电、环保和日用化工等领域发挥重要作用。我们需要研究和应用在现有基础上，开拓新思路，大规模，高性价比的氮化硼纳米材料，合成零污染，推动了广泛的应用。