hbn六方氮化硼

氮化硼生产厂家的小编今天带大家一起来认识一下关于六方氮化硼在我国5G事业发展中的关键性位置吧，欢迎一起讨论！德州的工程师们设计了一种类似存储器的非易失性二维六方氮化硼开关。夹在金电极相互间的1层原子薄的六方氮化硼原子薄层能够 用作传输5G或更高频率的开关。

具有原子量级的二维材料在许多方面都有用，只是直到两年前，没有谁会认为两者能够 生产效果更好的存储设备。两个电极（比如说二硫化钼）夹在两个电极相互间以建立忆阻器，忆阻器是借助改变电阻来存储数据的双端器件。

在上星期的研究性报告中，研究团队展示了这类“原子电阻器”的潜在关键性运用-用于5G乃至6个今后无线电的模拟射频开关。蜂窝无线电开展了大批转换。研究团队必须在不同频率相互间切换以预防干挠，并在不同位置的信号相互间切换以控制数据束。

RF开关是一个规定很高的设施，它需用难以获得的特性搭配。快速开关，低电阻，高关断阻抗，小泄漏，这相对于现如今的开关是无法用的，两者应在都没有电源的条件下实现在原位。如果不打开无线电开关，则依赖电池的物联网系统可能会持续更长的时长。这就是新型纳米级原子电阻器开关现在可以做好的，不光可用于5G频率，况且还可用于将来可能的6G频率。忆阻器通常由夹在绝缘材料柱（比如说氧化物材料）中的两个电极组成。器件以高阻态启动，以预防电流借助。
只是，如果电压升高到足够高的水平，氧气将从氧化物中挤出来建立导电通道。在这样的状态下，设施现在很容易借助电流。相反方向的高压会把氧气放回原处并恢复其电阻。六方氮化硼层建立纳米级开关。由于二维半导体中都没有垂直尺寸以建立导电路径，因此不会发生这样的条件。
预制不同的是，二维材料晶格中某些自然发生的缺陷会产生这样的效果。这类缺陷是都没有原子。一般来说，二维材料的电阻很高，只是如果有足够的电压，电极上的金原子会短时间移入空隙，使材料导电。一开始使用二硫化钼当作二维材料找到了原子反应。射频开关的主要优势在于其截止频率。它是导通状态电阻和截止状态电容的搭配，在较好的开关中，两者都应低。截止频率的赫兹值表明该器件是RF开关的不错选用，同时实验性hBN器件得划分为129太赫兹。当作测试的一部分，该团队使用100GHz的载波频率以每秒8.5GHz的速度传输及时高清视频。那样此频率能够达到5G流媒体需求量。以这样的数据速率，几秒钟内可以下载几部电影。

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