在H-BN表面羟基化过程中,-OH基团优先与H-BN表面的B位结合。当几种不同类型的基团同时被修饰为 H-Bn 时,这些基团也优先与 B 原子结合。因此,H-BN羟基化的关键和难点在于实现B原子的化学活化,即B-N键的断裂。
已经证明,在强机械力、高温高压、强酸强碱或强氧化等特殊条件下,B-N键的断裂更容易实现。因此,H-BN的羟基化根据作用方式的不同可分为物理法和化学法。此外,羟基化的 BNNSS 是该过程的主要产物,通常伴随着 H-BN 片层的剥离。
除了物理方法,H-BN还可以通过一些特殊的化学试剂与H-BN的化学作用进行剥离、层状断裂和羟基化改性。化学试剂通常是熔融的氢氧化物、过氧化氢等,在这些试剂的作用下,H-BN薄片的边缘会自卷曲。同时,体系中的OH-等离子会嵌入卷曲的H-BN薄片之间,使H-BN纳米片逐渐从块状H-BN中剥离出来,同时羟基化。
2. 物理法制备羟基化H-BN
当块状H-BN经过超声波、球磨等物理手段处理后,H-BN纳米片在强物理作用下会从原来的块状H-BN上剥离断裂,使B原子位充分暴露并易于结合与具有高化学势的-OH,从而实现H-BN的羟基化改性。
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