六方氮化硼之单层二硫化钼的定向外延

据报道，中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室张广宇课题组报道了采用化学气相沉积法在六方单晶上定向外延单层二硫化钼薄膜，并对薄膜特性进行了仔细研究。

六方氮化硼与二硫化钼都具有三重对称性，是具有原子级平整表面的绝缘体。所制备的薄膜由两种取向的晶粒构成，两种取向的晶粒彼此夹角为60度，两种取向的晶粒在衬底上具有相等的能量最低态。高分辨透射电镜证实薄膜只具有60晶界。

迄今为止，最大限度的减少了二硫化钼薄膜的晶界。提高了样品质量。他们将薄膜制备成场效应晶体管，晶体管具有大约30cm2V-1s-1的电子迁移率和106的开关比。最后他们调控生长前驱体的浓度得到不同截止边界的二硫化钼晶粒，拓宽了样品的应用范围。

二硫化钼由于其稳定的二维层状结构和独特的光电性能而受到研究人员的广泛关注。可控的大规模制备高质量的单层二硫化钼一直是人们努力的方向。目前，人们已经开发了多种制备单层二硫化钼的方法，例如机械剥离法，原子层沉积法，溶胶-凝胶法，磁控溅射法等。这些方法制备的二硫化钼的形貌和质量不同，其应用范围相对有限。

近年来，化学气相沉积（CVD）已被广泛接受。该设备既成熟又便宜，易于操作且安全，并且增长迅速。但是，由于底物和生长参数的影响，采用不同方法制备的二硫化钼是不一样的，而且晶界很多，大大降低了薄膜样品的质量。

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